WEKO3
アイテム
Effect of Boron Incorporation on Slow Interface Traps in SiO2/4H-SiC Structures
http://hdl.handle.net/2241/00146081
http://hdl.handle.net/2241/00146081208a16b2-89ab-4d61-847b-73c35d3f8bfb
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | Journal Article(1) | |||||
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公開日 | 2017-05-12 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Effect of Boron Incorporation on Slow Interface Traps in SiO2/4H-SiC Structures | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ | journal article | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
著者 |
岡本, 大
× 岡本, 大× SOMETANI, Mitsuru× HARADA, Shinsuke× KOSUGI, Ryoji× YONEZAWA, Yoshiyuki× 矢野, 裕司 |
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書誌情報 |
en : Applied Physics A: Materials Science & Processing 巻 2017, p. 123-133, 発行日 2017-01-30 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | EISSN | |||||
収録物識別子 | 0947-8396 | |||||
DOI | ||||||
関連タイプ | isVersionOf | |||||
関連識別子 | https://doi.org/10.1007/s00339-016-0724-1 | |||||
権利情報 | ||||||
権利情報 | The final publication is available at Springer via http://dx.doi.org/10.1007/s00339-016-0724-1. | |||||
出版タイプ | ||||||
出版タイプ | AM | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | Springer Verlag |