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  1. コンテンツタイプ
  2. 博士論文 全文
  3. 工学

電場効果ドープC60の構造と電子状態の第一原理的研究

http://hdl.handle.net/2241/6342
http://hdl.handle.net/2241/6342
d6759e28-d902-45fb-ba9a-a03b468f61ef
名前 / ファイル ライセンス アクション
A3404.pdf A3404.pdf (157.8 kB)
1.pdf 1.pdf (31.2 kB)
2.pdf 2.pdf (69.4 kB)
3.pdf 3.pdf (758.8 kB)
4.pdf 4.pdf (684.6 kB)
5.pdf 5.pdf (2.4 MB)
6.pdf 6.pdf (77.7 kB)
7.pdf 7.pdf (10.4 kB)
8.pdf 8.pdf (28.3 kB)
9.pdf 9.pdf (56.3 kB)
10.pdf 10.pdf (43.5 kB)
11.pdf 11.pdf (115.1 kB)
12.pdf 12.pdf (33.7 kB)
Item type アイテムタイプT(1)
公開日 2007-07-25
タイトル
タイトル 電場効果ドープC60の構造と電子状態の第一原理的研究
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ doctoral thesis
著者 千田, 忠彦

× 千田, 忠彦

WEKO 35625

ja 千田, 忠彦

en Chida, Tadahiko

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抄録
内容記述 近年,半導体であるC60固体にキャリアをドープする方法として電場効果ドーピングが注目されている。これは,C60を用いた電界効果トランジスタ(FET)構造を作成し,それにゲート電圧を印加することで絶縁膜に接したC60の表面にキャリアを誘起する手法である。電場効果ドーピングでは,原理的にはゲート電圧によってキャリア濃度を自由に変えられ,さらにはゲート電圧の極性を変えることで電子とホールを同様に導入することが可能である。また,他の電子や分子を導入する必要がないので結晶構造が大きく変化することはない。これまでに作成されたC60-FETで得られているキャリア濃度は,キャリアが単分子層にのみ存在すると仮定しても分子当たり0.01-0.04個程度と化学的ドーピングに比べて低い。化学的ドーピングによってC60に分子当たり3個の電子を導入した場合には,超伝導体となる。そのため,これと同程度のキャリア数を電場効果で導入した時のC60の電子状態は非常に興味深く,高キャリア濃度を実現するための試みがなされている。しかしながら,このようなキャリア数をドープした場合には非常に大きな外部電場がC60に加わるので,ポテンシャルの変調が避けられず,C60の表面付近の電子状態はバルクの電子状態とは大きく異なっていると考えられる。このため,その電子状態を議論するには,FET構造における電場効果を考慮した定量的な計算を行う必要がある。 ・・・
書誌情報
発行日 2004
アクセス権
アクセス権 open access
取得学位
学位名 博士(工学)
取得学位
学位名 Doctor of Philosophy in Engineering
学位授与大学
学位授与機関名 筑波大学
学位授与機関名 University of Tsukuba
学位授与年度
内容記述 2003
学位授与年月日
学位授与年月日 2004-03-25
報告番号
学位授与番号 甲第3404号
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Ver.1 2021-03-02 11:25:46.365276
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