WEKO3
アイテム
Investigation of defect levels in BaSi2 epitaxial films by photoluminescence and the effect of atomic hydrogen passivation
http://hdl.handle.net/2241/00159538
http://hdl.handle.net/2241/001595382d76be5c-c560-4e25-9b22-3b7107430bbe
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
JPC_3-7-075005.pdf (1.1 MB)
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.png)
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| Item type | Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-02-06 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Investigation of defect levels in BaSi2 epitaxial films by photoluminescence and the effect of atomic hydrogen passivation | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 著者 |
都甲, 薫
× 都甲, 薫× 末益, 崇× Benincasa, Louise× Hoshida, Hirofumi× Deng, Tianguo× Sato, Takuma× Xu, Zhihao× Terai, Yoshikazu |
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| 書誌情報 |
en : Journal of Physics Communications 巻 3, 号 7, p. 075005, 発行日 2019-07 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||
| 収録物識別子 | 2399-6528 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1088/2399-6528/ab2fa1 | |||||
| 権利情報 | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 権利情報 | Original content from thiswork may be used underthe terms of theCreativeCommons Attribution 3.0licence. | |||||
| 権利情報 | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 権利情報 | Any further distribution ofthis work must maintainattribution to theauthor(s)and the title ofthe work, journal citationand DOI. | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | IOP Publishing | |||||
| 言語 | en | |||||
