WEKO3
アイテム
Insight into enhanced field-effect mobility of 4H-SiC MOSFET with Ba incorporation studied by Hall effect measurements
http://hdl.handle.net/2241/00154002
http://hdl.handle.net/2241/001540024f5af410-ec5f-436f-8db6-e86256baec0f
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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AIPAdv_8-8.pdf (749.3 kB)
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.png)
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| Item type | Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2018-12-03 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Insight into enhanced field-effect mobility of 4H-SiC MOSFET with Ba incorporation studied by Hall effect measurements | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 著者 |
Fujita, Eigo
× Fujita, Eigo× Sometani, Mitsuru× Hatakeyama, Tetsuo× Harada, Shinsuke× 矢野, 裕司× Hosoi, Takuji× Shimura, Takayoshi× Watanabe, Heiji |
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| 書誌情報 |
en : AIP Advances 巻 8, 号 8, p. 085305, 発行日 2018-08 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||
| 収録物識別子 | 2158-3226 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.5034048 | |||||
| 権利情報 | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 権利情報 | ©2018 Author(s). All article content, except where otherwise noted, is licensed under a Creative Commons Attribution (CC BY) license (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). https://doi.org/10.1063/1.5034048 | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| 言語 | en | |||||
