WEKO3
アイテム
Insight into enhanced field-effect mobility of 4H-SiC MOSFET with Ba incorporation studied by Hall effect measurements
http://hdl.handle.net/2241/00154002
http://hdl.handle.net/2241/001540024f5af410-ec5f-436f-8db6-e86256baec0f
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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AIPAdv_8-8.pdf (749.3 kB)
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.png)
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| Item type | Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2018-12-03 | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | Insight into enhanced field-effect mobility of 4H-SiC MOSFET with Ba incorporation studied by Hall effect measurements | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||
| 著者 |
Fujita Eigo
× Fujita Eigo
× Sometani Mitsuru
× Hatakeyama Tetsuo
× Harada Shinsuke
× YANO Hiroshi
× Hosoi Takuji
× Shimura Takayoshi
× Watanabe Heiji
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| 著者情報 | ||||||||||||||||||||||
| 表示名 | 数理物質系; 矢野, 裕司; ヤノ, ヒロシ; YANO, Hiroshi | |||||||||||||||||||||
| URL | http://trios.tsukuba.ac.jp/researcher/0000003505 | |||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
en : AIP Advances 巻 8, 号 8, p. 085305, 発行日 2018-08 |
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| PISSN | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 2158-3226 | |||||||||||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||||||||||||
| 権利情報 | ||||||||||||||||||||||
| 権利情報 | ©2018 Author(s). All article content except where otherwise noted is licensed under a Creative Commons Attribution (CC BY) license (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). https://doi.org/10.1063/1.5034048 | |||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.5034048 | |||||||||||||||||||||
