WEKO3
アイテム
Impact of Ba to Si deposition rate ratios during molecular beam epitaxy on carrier concentration and spectral response of BaSi2 epitaxial films
http://hdl.handle.net/2241/00152937
http://hdl.handle.net/2241/00152937f52d7916-6e31-474f-9da4-47d67ade7d07
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | アイテムタイプJ(1) | |||||||||||||||||||
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公開日 | 2018-07-19 | |||||||||||||||||||
タイトル | ||||||||||||||||||||
タイトル | Impact of Ba to Si deposition rate ratios during molecular beam epitaxy on carrier concentration and spectral response of BaSi2 epitaxial films | |||||||||||||||||||
言語 | ||||||||||||||||||||
言語 | eng | |||||||||||||||||||
資源タイプ | ||||||||||||||||||||
資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||
著者 |
Takabe, Ryota
× Takabe, Ryota
× Deng, Tianguo
× Kodama, Komomo
× Yamashita, Yudai
× Sato, Takuma
× TOKO, Kaoru
× SUEMASU, Takashi
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著者情報 | ||||||||||||||||||||
所属・氏名 | 数理物質系; 都甲, 薫; トコウ, カオル; TOKO, Kaoru | |||||||||||||||||||
研究者総覧URL | http://trios.tsukuba.ac.jp/researcher/0000003027 | |||||||||||||||||||
著者情報 | ||||||||||||||||||||
所属・氏名 | 数理物質系; 末益, 崇; スエマス, タカシ; SUEMASU, Takashi | |||||||||||||||||||
研究者総覧URL | http://trios.tsukuba.ac.jp/researcher/0000000714 | |||||||||||||||||||
書誌情報 |
en : Journal of Applied Physics 巻 123, 号 4, p. 045703, 発行日 2018-01 |
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PISSN | ||||||||||||||||||||
収録物識別子 | 0021-8979 | |||||||||||||||||||
NCID | ||||||||||||||||||||
収録物識別子 | AA00693547 | |||||||||||||||||||
アクセス権 | ||||||||||||||||||||
アクセス権 | open access | |||||||||||||||||||
権利情報 | ||||||||||||||||||||
権利情報 | This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and AIP Publishing.The following article appeared in 123, 45703 (2018) and may be found at https://doi.org/10.1063/1.4994850. | |||||||||||||||||||
出版者 | ||||||||||||||||||||
出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||
出版タイプ | ||||||||||||||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||
DOI | ||||||||||||||||||||
関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||
関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.4994850 |