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  1. コンテンツタイプ
  2. 博士論文 全文
  3. 工学

シリコンカーバイドパワーMOSFETsの破壊耐量ならびにそのメカニズムに関する研究

https://doi.org/10.15068/00152360
https://doi.org/10.15068/00152360
f06e564a-e2f3-45f5-8eff-ee1c2e0c792d
名前 / ファイル ライセンス アクション
DA08480.pdf DA08480.pdf (3.2 MB)
Item type アイテムタイプT(1)
公開日 2018-07-05
タイトル
タイトル Study on Robustness Issues and Related Mechanisms for Silicon Carbide Power MOSFETs
タイトル
タイトル シリコンカーバイドパワーMOSFETsの破壊耐量ならびにそのメカニズムに関する研究
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ doctoral thesis
ID登録
ID登録 10.15068/00152360
著者 安, 俊傑

× 安, 俊傑

en An, Junjie

ja 安, 俊傑

書誌情報
発行日 2018
アクセス権
アクセス権 open access
取得学位
学位名 博士(工学)
取得学位
学位名 Doctor of Philosophy in Engineering
学位授与大学
学位授与機関名 筑波大学
学位授与機関名 University of Tsukuba
学位授与年度
内容記述 2017
学位授与年月日
学位授与年月日 2018-03-23
報告番号
学位授与番号 甲第8480号
NDLリンク
自動収集/送信 自動収集
URL https://dl.ndl.go.jp/pid/11123077
CiNii Research
CRID 1910302385732781056
URL https://cir.nii.ac.jp/crid/1910302385732781056
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Ver.1 2021-03-01 22:04:23.441758
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