WEKO3
アイテム
炭化ケイ素(SiC)MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明
http://hdl.handle.net/2241/00148780
http://hdl.handle.net/2241/00148780e35caf6b-b394-4fc4-a6c6-de1d50e24784
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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25286054seika.pdf (272.5 kB)
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Item type | Research Paper(1) | |||||
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公開日 | 2018-01-31 | |||||
タイトル | ||||||
言語 | ja | |||||
タイトル | 炭化ケイ素(SiC)MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明 | |||||
タイトル | ||||||
言語 | en | |||||
タイトル | Electron-spin-resonance study on SiC-MOSFETs and their MOS interface defects related to channel-mobility degradation | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||
タイプ | research report | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
著者 |
藤ノ木, 享英
× 藤ノ木, 享英× 梅田, 享英 |
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内容記述 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 科学研究費助成事業 研究成果報告書:基盤研究(B)2013-2015課題番号 : 25286054 | |||||
言語 | ja | |||||
書誌情報 |
発行日 2016 |