@techreport{oai:tsukuba.repo.nii.ac.jp:00043893,
 author = {藤ノ木, 享英 and Fujinoki, Takahide and 梅田, 享英 and UMEDA, Takahide},
 month = {},
 note = {科学研究費助成事業 研究成果報告書：基盤研究(B)2013-2015課題番号 : 25286054},
 title = {炭化ケイ素（SiC）MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明},
 year = {2016},
 yomi = {ウメダ, タカヒデ}
}