WEKO3
アイテム
遷移金属内包シリコンクラスター材料を用いた半導体との接合形成に関する研究
http://hdl.handle.net/2241/00123320
http://hdl.handle.net/2241/00123320e339ccc4-874f-4d0b-a977-16f9495fa4b8
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
DA06824.pdf (5.1 MB)
|
|
| Item type | アイテムタイプT(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2015-02-19 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 遷移金属内包シリコンクラスター材料を用いた半導体との接合形成に関する研究 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||
| 著者 |
岡田, 直也
× 岡田, 直也 |
|||||
| 書誌情報 |
発行日 2014 |
|||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| 取得学位 | ||||||
| 学位名 | 博士（工学） | |||||
| 取得学位 | ||||||
| 学位名 | Doctor of Philosophy in Engineering | |||||
| 学位授与大学 | ||||||
| 学位授与機関名 | 筑波大学 | |||||
| 学位授与機関名 | University of Tsukuba | |||||
| 学位授与年度 | ||||||
| 内容記述 | 2013 | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2014-03-25 | |||||
| 報告番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 甲第6824号 | |||||
