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  1. コンテンツタイプ
  2. 博士論文 全文
  3. 工学

遷移金属内包シリコンクラスター材料を用いた半導体との接合形成に関する研究

http://hdl.handle.net/2241/00123320
http://hdl.handle.net/2241/00123320
e339ccc4-874f-4d0b-a977-16f9495fa4b8
名前 / ファイル ライセンス アクション
DA06824.pdf DA06824.pdf (5.1 MB)
Item type アイテムタイプT(1)
公開日 2015-02-19
タイトル
タイトル 遷移金属内包シリコンクラスター材料を用いた半導体との接合形成に関する研究
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ doctoral thesis
著者 岡田, 直也

× 岡田, 直也

WEKO 108517

ja 岡田, 直也

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書誌情報
発行日 2014
アクセス権
アクセス権 open access
取得学位
学位名 博士(工学)
取得学位
学位名 Doctor of Philosophy in Engineering
学位授与大学
学位授与機関名 筑波大学
学位授与機関名 University of Tsukuba
学位授与年度
内容記述 2013
学位授与年月日
学位授与年月日 2014-03-25
報告番号
学位授与番号 甲第6824号
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Ver.1 2021-03-02 06:34:49.830658
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