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アイテム
RDE法によるSi/β-FeSi_2/Si(001)構造の作製(<小特集>ヘテロエピタキシーと界面構造制御)
http://hdl.handle.net/2241/100362
http://hdl.handle.net/2241/100362c8dc7ac3-4bd5-48eb-833b-2ad3c1cab609
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | Journal Article(1) | |||||
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公開日 | 2008-09-04 | |||||
タイトル | ||||||
言語 | ja | |||||
タイトル | RDE法によるSi/β-FeSi_2/Si(001)構造の作製(<小特集>ヘテロエピタキシーと界面構造制御) | |||||
タイトル | ||||||
言語 | en | |||||
タイトル | Fabrication of Si/β-FeSi_2/Si(001) Structures by Reactive Deposition Epitaxy(<Special Issue>Control of near-Interface Structure | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
タイプ | journal article | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
著者 |
末益, 崇
× 末益, 崇× 長谷川, 文夫 |
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書誌情報 |
ja : 日本結晶成長学会誌 巻 25, 号 1, p. 46-54, 発行日 1998-03 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
収録物識別子 | 0385-6275 | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AN00188386 | |||||
権利 | ||||||
言語 | ja | |||||
権利情報 | 日本結晶成長学会 | |||||
出版タイプ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
出版者 | ||||||
言語 | ja | |||||
出版者 | 日本結晶成長学会 | |||||
関連情報 | ||||||
関連タイプ | isVersionOf | |||||
識別子タイプ | URI | |||||
関連識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110002715014/ | |||||
言語 | ja | |||||
関連名称 | 本文データは日本結晶成長学会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである |