WEKO3
アイテム
Asymmetric Carrier Penetration into Hexagonal Boron Nitride in Graphene Field-Effect Transistors
http://hdl.handle.net/2241/00160178
http://hdl.handle.net/2241/00160178d654863c-dd97-43c1-ac83-d813908d2d01
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | Journal Article(1) | |||||
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公開日 | 2020-06-22 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Asymmetric Carrier Penetration into Hexagonal Boron Nitride in Graphene Field-Effect Transistors | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ | journal article | |||||
著者 |
OKADA Susumu
× OKADA Susumu× MARUYAMA Mina× GAO Yanlin |
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著者情報 | ||||||
所属・氏名 | 数理物質系; 岡田, 晋; オカダ, ススム; OKADA, Susumu | |||||
筑波大学研究者総覧 | http://trios.tsukuba.ac.jp/researcher/0000000690 | |||||
著者情報 | ||||||
所属・氏名 | 数理物質系; 丸山, 実那; マルヤマ, ミナ; MARUYAMA, Mina | |||||
筑波大学研究者総覧 | http://trios.tsukuba.ac.jp/researcher/0000004242 | |||||
著者情報 | ||||||
所属・氏名 | 数理物質系; 高, 燕林; コウ, エンリン; GAO, Yanlin | |||||
筑波大学研究者総覧 | http://trios.tsukuba.ac.jp/researcher/0000004355 | |||||
書誌情報 |
en : Applied Physics Express 巻 13, 号 7, p. 075005, 発行日 2020-06 |
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PISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
収録物識別子 | 1882-0778 | |||||
NCID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA12295133 | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
権利情報 | ||||||
権利情報 | (c) 2020 The Japan Society of Applied Physics | |||||
権利情報 | ||||||
権利情報 | This is the Accepted Manuscript version of an article accepted for publication in Applied Physics Express. IOP Publishing Ltd is not responsible for any errors or omissions in this version of the manuscript or any version derived from it. The Version of Record is available online at https://doi.org/10.35848/1882-0786/ab9762 | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | IOP Publishing | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | The Japan Society of Applied Physics | |||||
出版タイプ | ||||||
出版タイプ | AM | |||||
DOI | ||||||
関連タイプ | isVersionOf | |||||
関連識別子 | https://doi.org/10.35848/1882-0786/ab9762 |