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Effect of amorphous Si capping layer on the hole transport properties of BaSi2 and improved conversion efficiency approaching 10% in p-BaSi2/n-Si solar cells
http://hdl.handle.net/2241/00144275
http://hdl.handle.net/2241/001442756d22c67b-c5cd-4d5d-9bfd-e17ed65686fa
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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![]() |
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Item type | Journal Article(1) | |||||
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公開日 | 2016-11-04 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Effect of amorphous Si capping layer on the hole transport properties of BaSi2 and improved conversion efficiency approaching 10% in p-BaSi2/n-Si solar cells | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ | journal article | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
著者 |
Yachi, Suguru
× Yachi, Suguru× Takabe, Ryota× Takeuchi, Hiroki× 都甲, 薫× 末益, 崇 |
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書誌情報 |
en : Applied Physics Letters 巻 109, 号 7, p. 072103, 発行日 2016-08 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
収録物識別子 | 0003-6951 | |||||
NCID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA00543431 | |||||
DOI | ||||||
関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.4961309 | |||||
権利情報 | ||||||
権利情報 | This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and AIP Publishing. | |||||
権利情報 | ||||||
権利情報 | The following article appeared in Appl. Phys. Lett. 109, 072103 (2016) and may be found at http://dx.doi.org/10.1063/1.4961309. | |||||
出版タイプ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | AIP Publishing |