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Effect of amorphous Si capping layer on the hole transport properties of BaSi2 and improved conversion efficiency approaching 10% in p-BaSi2/n-Si solar cells
http://hdl.handle.net/2241/00144275
http://hdl.handle.net/2241/001442756d22c67b-c5cd-4d5d-9bfd-e17ed65686fa
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
APL_109-7.pdf (1.1 MB)
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| Item type | Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2016-11-04 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Effect of amorphous Si capping layer on the hole transport properties of BaSi2 and improved conversion efficiency approaching 10% in p-BaSi2/n-Si solar cells | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 著者 |
Yachi, Suguru
× Yachi, Suguru× Takabe, Ryota× Takeuchi, Hiroki× 都甲, 薫× 末益, 崇 |
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| 書誌情報 |
en : Applied Physics Letters 巻 109, 号 7, p. 072103, 発行日 2016-08 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||
| NCID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00543431 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.4961309 | |||||
| 権利情報 | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 権利情報 | This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and AIP Publishing. | |||||
| 権利情報 | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 権利情報 | The following article appeared in Appl. Phys. Lett. 109, 072103 (2016) and may be found at http://dx.doi.org/10.1063/1.4961309. | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | AIP Publishing | |||||
| 言語 | en | |||||
