WEKO3
アイテム / Backward diodes using heavily Mg-doped GaN growth by ammonia molecular-beam epitaxy / APL_108-7
APL_108-7
ファイル | ライセンス |
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APL_108-7.pdf (847.9 kB) sha256 e789ee997d80752ef15685f8f8b4b0bf6ec9adc32fa8f0250abb272bdd1bee39 |
公開日 | 2016-06-02 | |||||
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ファイル名 | APL_108-7.pdf | |||||
本文URL | https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/record/38222/files/APL_108-7.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 847.9 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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