WEKO3
アイテム
First-Principles Study on Interlayer States at the 4H-SiC/SiO2 Interface and the Effect of Oxygen-Related Defects
http://hdl.handle.net/2241/00138352
http://hdl.handle.net/2241/00138352cfa9ec61-1fcb-4ac2-a837-304e1d0e36be
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
---|---|---|
![]() |
|
Item type | Journal Article(1) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
公開日 | 2016-04-01 | |||||
タイトル | ||||||
言語 | en | |||||
タイトル | First-Principles Study on Interlayer States at the 4H-SiC/SiO2 Interface and the Effect of Oxygen-Related Defects | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
資源タイプ | ||||||
資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
タイプ | journal article | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
著者 |
Kirkham, Christopher James
× Kirkham, Christopher James× 小野, 倫也 |
|||||
書誌情報 |
en : Journal of the Physical Society of Japan 巻 85, 号 2, p. 024701, 発行日 2016-02 |
|||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
収録物識別子 | 0031-9015 | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA00704814 | |||||
DOI | ||||||
関連タイプ | isVersionOf | |||||
識別子タイプ | DOI | |||||
関連識別子 | https://doi.org/10.7566/JPSJ.85.024701 | |||||
権利 | ||||||
言語 | en | |||||
権利情報 | (c) 2016 The Physical Society of Japan | |||||
出版タイプ | ||||||
出版タイプ | AM | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||
出版者 | ||||||
言語 | en | |||||
出版者 | The Physical Society of Japan | |||||
出版者 | ||||||
言語 | ja | |||||
出版者 | 日本物理学会 |