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アイテム
三段階法で作成されたCu(In,Ga)Se2薄膜中の深い欠陥準位の研究
http://hdl.handle.net/2241/00132734
http://hdl.handle.net/2241/00132734842930ee-8fbd-47be-a645-8bded5659557
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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DA07251.pdf
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| Item type | Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2016-01-07 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Study of deep-level defects in Cu(In, Ga)Se2 thin film grown by three-stage process | |||||
| 言語 | en | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 三段階法で作成されたCu(In,Ga)Se2薄膜中の深い欠陥準位の研究 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||
| タイプ | doctoral thesis | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 著者 |
胡, 小波
× 胡, 小波 |
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| 内容記述 | ||||||
| 内容記述 | この博士論文は、全文公表に適さないやむを得ない事由があり要約のみを公表していましたが、解消したため、令和6(2024)年2月15日に全文を公表しました。 | |||||
| 書誌情報 |
発行日 2015 |
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| 取得学位 | ||||||
| 学位名 | 博士（工学） | |||||
| 取得学位 | ||||||
| 学位名 | Doctor of Philosophy in Engineering | |||||
| 学位授与大学 | ||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||
| 学位授与機関識別子 | 12102 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 学位授与機関名 | 筑波大学 | |||||
| 言語 | en | |||||
| 学位授与機関名 | University of Tsukuba | |||||
| 学位授与年度 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 2014 | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2015-03-25 | |||||
| 報告番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 甲第7251号 | |||||
