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  1. 成果物一般
  2. 博士論文 全文
  3. 工学

三段階法で作成されたCu(In,Ga)Se2薄膜中の深い欠陥準位の研究

http://hdl.handle.net/2241/00132734
http://hdl.handle.net/2241/00132734
842930ee-8fbd-47be-a645-8bded5659557
名前 / ファイル ライセンス アクション
DA07251.pdf DA07251.pdf
Item type アイテムタイプT(1)
公開日 2016-01-07
タイトル
タイトル Study of deep-level defects in Cu(In, Ga)Se2 thin film grown by three-stage process
タイトル
タイトル 三段階法で作成されたCu(In,Ga)Se2薄膜中の深い欠陥準位の研究
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ doctoral thesis
著者 胡, 小波

× 胡, 小波

WEKO 118343

ja 胡, 小波

en Hu, Xiaobo

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書誌情報
発行日 2015
アクセス権
アクセス権 open access
注記
内容記述 この博士論文は、全文公表に適さないやむを得ない事由があり要約のみを公表していましたが、解消したため、令和6(2024)年2月15日に全文を公表しました。
取得学位
学位名 博士(工学)
取得学位
学位名 Doctor of Philosophy in Engineering
学位授与大学
学位授与機関名 筑波大学
学位授与機関名 University of Tsukuba
学位授与年度
内容記述 2014
学位授与年月日
学位授与年月日 2015-03-25
報告番号
学位授与番号 甲第7251号
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Ver.1 2021-03-02 04:28:58.316082
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