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アイテム / Molecular beam epitaxy of boron doped p-type BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates for thin-film solar cells / JCG_378_201
JCG_378_201
ファイル | ライセンス |
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JCG_378_201.pdf (346.1 kB) sha256 628bb57835e8a973e3e3ef6e5bbf971001a4b08316a9dcec9b132f7e0504e1e3 |
Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International (CC BY-NC-ND 4.0) |
公開日 | 2013-10-02 | |||||
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ファイル名 | JCG_378_201.pdf | |||||
本文URL | https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/record/29406/files/JCG_378_201.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 346.1 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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