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アイテム
Photoluminescence decay time and electroluminescence of p-Si/beta-FeSi2 particles/n-Si and p-Si/beta-FeSi2 film/n-Si double-heterostructures light-emitting diodes grown by molecular-beam epitaxy
http://hdl.handle.net/2241/104223
http://hdl.handle.net/2241/1042238b90bbba-5fe5-4ac6-b1b6-0f19e7333c15
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | Journal Article(1) | |||||
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公開日 | 2010-01-06 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Photoluminescence decay time and electroluminescence of p-Si/beta-FeSi2 particles/n-Si and p-Si/beta-FeSi2 film/n-Si double-heterostructures light-emitting diodes grown by molecular-beam epitaxy | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ | journal article | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
著者 |
末益, 崇
× 末益, 崇× Ugajin, Y.× Murase, S.× Sunohara, T.× Suzuno, M. |
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書誌情報 |
en : Journal of applied physics 巻 101, 号 12, p. 124506, 発行日 2007-06 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
収録物識別子 | 0021-8979 | |||||
NCID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA00693547 | |||||
DOI | ||||||
関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.2749200 | |||||
権利情報 | ||||||
権利情報 | © 2007 American Institute of Physics | |||||
出版タイプ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | American Institute of Physics |