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Formation of hydrogen-boron complexes in boron-doped silicon treated with a high concentration of hydrogen atoms
http://hdl.handle.net/2241/104168
http://hdl.handle.net/2241/104168e7ecb860-6ce0-43dd-9631-47200e49408b
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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![]() |
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Item type | Journal Article(1) | |||||
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公開日 | 2009-12-24 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Formation of hydrogen-boron complexes in boron-doped silicon treated with a high concentration of hydrogen atoms | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ | journal article | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
著者 |
Fukata, N.
× Fukata, N.× Fukuda, S.× Sato, S.× Ishioka, K.× Kitajima, Masahiro× Hishita, T.× 村上, 浩一 |
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書誌情報 |
en : Physical review B 巻 72, 号 24, p. 245209, 発行日 2005-12 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
収録物識別子 | 1098-0121 | |||||
NCID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA11187113 | |||||
DOI | ||||||
関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
関連識別子 | https://doi.org/10.1103/PhysRevB.72.245209 | |||||
権利情報 | ||||||
権利情報 | © 2005 The American Physical Society | |||||
出版タイプ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | American Physical Society |