WEKO3
アイテム
Resistance changes induced by electron-spin resonance in ion-implanted Si : P system
http://hdl.handle.net/2241/104162
http://hdl.handle.net/2241/1041626ec20579-0b90-493b-9a43-d8b6c7f888f7
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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JAP_49-4.pdf (480.1 kB)
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| Item type | アイテムタイプJ(1) | |||||||||||||||
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| 公開日 | 2009-12-22 | |||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||
| タイトル | Resistance changes induced by electron-spin resonance in ion-implanted Si : P system | |||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||
| 著者 |
MURAKAMI Kouichi
× MURAKAMI Kouichi
× Namba S.
× Kishimoto N.
× Masuda K.
× Gamo K.
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| 著者情報 | ||||||||||||||||
| 所属・氏名 | 筑波大学; 村上, 浩一; ムラカミ, コウイチ; MURAKAMI, Kouichi | |||||||||||||||
| 研究者総覧URL | http://trios.tsukuba.ac.jp/researcher/0000000722 | |||||||||||||||
| 書誌情報 |
en : Journal of applied physics 巻 49, 号 4, p. 2401-2406, 発行日 1978-04 |
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| PISSN | ||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0021-8979 | |||||||||||||||
| NCID | ||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00693547 | |||||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||||||
| 権利情報 | ||||||||||||||||
| 権利情報 | © 1978 American Institute of Physics | |||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.325081 | |||||||||||||||
