WEKO3
アイテム
Evaluation of minority-carrier diffusion length in n-type beta-FeSi2 single crystals by electron-beam-induced current
http://hdl.handle.net/2241/99947
http://hdl.handle.net/2241/999474f63e9bf-203d-4170-acfb-590185498ca7
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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APL-92_4.pdf (201.6 kB)
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| Item type | アイテムタイプJ(1) | |||||||||||||
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| 公開日 | 2008-07-14 | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Evaluation of minority-carrier diffusion length in n-type beta-FeSi2 single crystals by electron-beam-induced current | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||
| 著者 |
Ootsuka Teruhisa
× Ootsuka Teruhisa
× SUEMASU Takashi
× Chen Jun
× Sekiguchi Takashi
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| 著者情報 | ||||||||||||||
| 所属・氏名 | 数理物質系; 末益, 崇; スエマス, タカシ; SUEMASU, Takashi | |||||||||||||
| 研究者総覧URL | http://trios.tsukuba.ac.jp/researcher/0000000714 | |||||||||||||
| 書誌情報 |
en : Applied Physics Letters 巻 92, 号 4, p. 42117, 発行日 2008-01 |
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| PISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||
| NCID | ||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543431 | |||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||||
| 権利情報 | ||||||||||||||
| 権利情報 | © 2008 American Institute of Physics | |||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||
| 出版者 | AIP Publishing | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.2835904 | |||||||||||||
