WEKO3
アイテム
Evaluation of minority-carrier diffusion length in n-type beta-FeSi2 single crystals by electron-beam-induced current
http://hdl.handle.net/2241/99947
http://hdl.handle.net/2241/999474f63e9bf-203d-4170-acfb-590185498ca7
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
---|---|---|
![]() |
|
Item type | Journal Article(1) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
公開日 | 2008-07-14 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Evaluation of minority-carrier diffusion length in n-type beta-FeSi2 single crystals by electron-beam-induced current | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ | journal article | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
著者 |
Ootsuka, Teruhisa
× Ootsuka, Teruhisa× 末益, 崇× Chen, Jun× Sekiguchi, Takashi |
|||||
書誌情報 |
en : Applied Physics Letters 巻 92, 号 4, p. 42117, 発行日 2008-01 |
|||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
収録物識別子 | 0003-6951 | |||||
NCID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA00543431 | |||||
DOI | ||||||
関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.2835904 | |||||
権利情報 | ||||||
権利情報 | © 2008 American Institute of Physics | |||||
出版タイプ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | AIP Publishing |