@phdthesis{oai:tsukuba.repo.nii.ac.jp:00008803,
 author = {梅田, 亨英 and Umeta, Takahide},
 month = {},
 note = {本研究の対象である水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)は、pn制御が成功した初めてのアモルファス半導体であり[1]、通常、プラズマCVD(化学気相堆積)法という低温プロセス(300℃以下)で薄膜として作製 ..., 1998},
 school = {筑波大学, University of Tsukuba},
 title = {電子スピン共鳴法による水素化アモルファスシリコン中の局在中心の研究},
 year = {1999}
}