{"created":"2021-03-01T06:44:06.836812+00:00","id":8664,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"b2f2ae7c-84ca-4e80-af48-c3a76ffe2fb3"},"_deposit":{"id":"8664","owners":[],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"8664"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:tsukuba.repo.nii.ac.jp:00008664","sets":["3:233:244"]},"author_link":["35582"],"item_12_biblio_info_6":{"attribute_name":"書誌情報","attribute_value_mlt":[{"bibliographicIssueDates":{"bibliographicIssueDate":"2004","bibliographicIssueDateType":"Issued"}}]},"item_12_date_granted_46":{"attribute_name":"学位授与年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_dategranted":"2004-03-25"}]},"item_12_degree_grantor_44":{"attribute_name":"学位授与大学","attribute_value_mlt":[{"subitem_degreegrantor":[{"subitem_degreegrantor_language":"ja","subitem_degreegrantor_name":"筑波大学"},{"subitem_degreegrantor_language":"en","subitem_degreegrantor_name":"University of Tsukuba"}],"subitem_degreegrantor_identifier":[{"subitem_degreegrantor_identifier_name":"12102","subitem_degreegrantor_identifier_scheme":"kakenhi"}]}]},"item_12_degree_name_43":{"attribute_name":"取得学位","attribute_value_mlt":[{"subitem_degreename":"博士(工学) "},{"subitem_degreename":"Doctor of Philosophy in Engineering"}]},"item_12_description_4":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"酸化物超伝導体として「知られるBaPbxBi1-xO3,及びBA1-xKxBiO3は低ドープ領域(x<0.65及びx<0.3)において,強い電子格子相互作用によって2eVもの直接遷移ギャップと約0.4eVの間接遷移ギャップを生じる半導体である。その機構は酸素八面体のブリージングモード歪とそれに伴うBiイオンの電荷不均化によって起こる電荷密度波(CDW)により説明されている。本研究ではこれらの物質について輸送特性,磁性及び圧力効果を調べた。BaPbxBi1-xO3については,抵抗率,ホール効果測定を半導体相(0