@phdthesis{oai:tsukuba.repo.nii.ac.jp:00008664,
 author = {静谷, 満幸 and Shizuya, Mitsuyuki},
 month = {},
 note = {酸化物超伝導体として｢知られるBaPbxBi1-xO3，及びBA1-xKxBiO3は低ドープ領域(x<0.65及びx<0.3)において，強い電子格子相互作用によって2eVもの直接遷移ギャップと約0.4eVの間接遷移ギャップを生じる半導体である。その機構は酸素八面体のブリージングモード歪とそれに伴うBiイオンの電荷不均化によって起こる電荷密度波(CDW)により説明されている。本研究ではこれらの物質について輸送特性，磁性及び圧力効果を調べた。BaPbxBi1-xO3については，抵抗率，ホール効果測定を半導体相(0<x<0.65)について行ない，その温度依存性から次のことがわかった。この系で，特に金属相に近い組成領域では，伝導を担うキャリアとして電子，ホール共に電気伝導に同程度の寄与をしている。そしてそれらの伝導機構は,帯磁率，光学測定の結果との比較から，酸素八面体のブリージングモードと結合したポーラロン伝導であることが示唆される。 ･･･, 2003, 英タイトルは英文標題紙による},
 school = {筑波大学, University of Tsukuba},
 title = {強い電子格子相互作用を有する酸化物Ba1-x KxBiO3 及びBaPbxBi1-xO3 の輸送特性及び圧力効果},
 year = {2004}
}