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アイテム / Growth of BaSi2 continuous films on Ge(111) by molecular beam epitaxy and fabrication of p-BaSi2/n-Ge heterojunction solar cells / JJAP_56-5-05DB02
JJAP_56-5-05DB02
ファイル | ライセンス |
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JJAP_56-5-05DB02.pdf (1.5 MB) sha256 c3784b452efedfa97f9e05ae5349601c9e1b7a511c233b6656afbcc297394066 |
Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International (CC BY-NC-ND 4.0) |
公開日 | 2018-04-26 | |||||
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ファイル名 | JJAP_56-5-05DB02.pdf | |||||
本文URL | https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/record/46242/files/JJAP_56-5-05DB02.pdf | |||||
ラベル | JJAP_56-5-05DB02 | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 1.5 MB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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