WEKO3
アイテム / Electrical properties of Ge crystals and effective Schottky barrier height of NiGe/Ge junctions modified by P and chalcogen (S, Se, or Te) co-doping / APL_109-10
APL_109-10
ファイル | ライセンス |
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APL_109-10.pdf (1.6 MB) sha256 992f4c25e7c882ae299f511b4ce1adcb0ed2045a1b04822a869f81c0446e7785 |
公開日 | 2016-11-04 | |||||
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ファイル名 | APL_109-10.pdf | |||||
本文URL | https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/record/39607/files/APL_109-10.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 1.6 MB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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