WEKO3
アイテム / Vacancy-type defects in Mg-doped GaN grown by ammonia-based molecular beam epitaxy probed using a monoenergetic positron beam / JAP_119-24
JAP_119-24
ファイル | ライセンス |
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JAP_119-24.pdf (934.5 kB) sha256 2855b33b48557471a661017374f1501d8d957cc766397e1b72e9f66426e49b03 |
公開日 | 2016-08-22 | |||||
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ファイル名 | JAP_119-24.pdf | |||||
本文URL | https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/record/38979/files/JAP_119-24.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 934.5 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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