@techreport{oai:tsukuba.repo.nii.ac.jp:00000186,
 author = {名取, 研二 and Natori, Kenji},
 month = {},
 note = {上記の目的に鑑み、先ず最も簡単な構造の単一電子トランジスタ電流電圧特性を考える。それは、スピン･アップおよびダウンの縮退した二つのエネルギレベルのみをもつドットからなる単一電子トランジスタであり、例えばGaAsの伝導体のγバレーにレベルができて、励起レベルが無視できるくらいの電源電圧や温度で動作させた場合などにあたる。この場合の単一電子トランジスタの輸送特性は、いわゆるアンダーソン･ハミルトニアンで記述され、その振舞については｢物理｣の面から既に研究し尽くされている感がある。しかし、このテーマは電子相関という厄介な問題を抱えるため安易なアプローチを許さず、ほとんど全てがグリーン関数法で扱われている。このため、電子工学分野からアプローチし易い直観的なイメージを構成し難い。本研究では、このテーマを直観的な視点に立脚して洗い直し、電子工学分野で把握しやすい素子特性のイメージを確立する。また、アンダーソン･ハミルトニアンは極低温でいわゆる近藤効果を示し、多体効果による伝導率の以上を示すことが多くの物理屋の興味を引いてきた。しかし、この現象は本来フェルミ準位近傍にレベルがないのにソース･ドレイン間に電流が流れることを示し、その極低温という条件とあいまって、スイッチング素子という観点から望ましいと言い難い。以上を鑑みて、近藤効果の問題は除外しこのテーマを直観的なモデルにたって扱ったのが、｢論文1｣である。 ..., 科学研究費補助金(基盤研究(C)(2))研究成果報告書 ~ 平成9-10年度
課題番号: 09650342},
 title = {量子ドットを介した共鳴トンネル型電子輸送と新デバイス応用},
 year = {1999}
}