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アイテム / Fabrication of (1 1 1)-oriented Si layers on SiO2 substrates by an aluminum-induced crystallization method and subsequent growth of semiconducting BaSi2 layers for photovoltaic application / JCG_311-14figures
JCG_311-14figures
ファイル | ライセンス |
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JCG_311-14figures.pdf (679.0 kB) sha256 fa39e0ee9c181c3d59f903d8efc77d3f0875b1d681ec70c45800c0dc39786e17 |
Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International (CC BY-NC-ND 4.0) |
公開日 | 2009-08-21 | |||||
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ファイル名 | JCG_311-14figures.pdf | |||||
本文URL | https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/record/18139/files/JCG_311-14figures.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 679.0 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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