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アイテム / Semiconductor(BaSi2)/metal(CoSi2) Schottky-barrier structures epitaxially grown on Si(1 1 1) substrates by molecular beam epitaxy / JCG-310_6
JCG-310_6
ファイル | ライセンス |
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JCG-310_6.pdf (825.6 kB) sha256 fbd57e0d1d07cad15e83bee978ec456fdc2ed998e975954d6253a4d7c5aef00b |
Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International (CC BY-NC-ND 4.0) |
公開日 | 2008-05-02 | |||||
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ファイル名 | JCG-310_6.pdf | |||||
本文URL | https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/record/15633/files/JCG-310_6.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 825.6 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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