2024-03-29T01:33:41Z
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/oai
oai:tsukuba.repo.nii.ac.jp:00055528
2023-06-12T02:34:40Z
3:267:274
Study of biaxial stress effect on electronic properties at the 4H-SiC-MOS interface
4H-SiC-MOS界面の電子特性に及ぼす二軸応力の影響に関する研究
付, 巍
221345
フ, ギ
Fu, Wei
筑波大学
University of Tsukuba
博士(工学)
Doctor of Philosophy in Engineering
2019
【要旨】
thesis
2020
2020-03-25
application/pdf
甲第9380号
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/record/55528/files/A9380.pdf
jpn
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