2024-03-29T11:08:40Z
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/oai
oai:tsukuba.repo.nii.ac.jp:00053314
2023-03-29T06:55:38Z
3:2658:6448
単原子層FETデバイスにおける電子間クーロン相互作用と室温動作特性の予測
Coulomb Interaction in Atomic-Layer FET Devices and Realistic Prediction of Device Characteristics
佐野, 伸行
サノ, ノブユキ
SANO, Nobuyuki
open access
科学研究費助成事業 研究成果報告書:基盤研究(B)2015-2017課題番号 : 15H03983
2018
jpn
research report
http://hdl.handle.net/2241/00158732
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/records/53314
https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03983/
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/record/53314/files/15H03983seika.pdf
application/pdf
2.6 MB
2019-11-27