2024-03-29T08:57:36Z
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/oai
oai:tsukuba.repo.nii.ac.jp:00012477
2023-06-12T01:15:17Z
3:267:274
へリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法による酸化亜鉛系半導体薄膜の成長機構
小山, 享宏
Koyama, Takahiro
open access
2004
【要旨】
2005
jpn
thesis
http://hdl.handle.net/2241/2557
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/records/12477
甲第3663号
博士(工学)
Doctor of Philosophy in Engineering
2005-03-25
12102
筑波大学
University of Tsukuba
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/record/12477/files/A3663.pdf
application/pdf
1.5 MB